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SI5441BDC-T1-E3中文资料

SI5441BDC-T1-E3图片

SI5441BDC-T1-E3外观图

  • 大小：115.7KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID -4.4A;1206-8 ChipFET;PD 1.3W
  • 数据列表：SI5441BDC
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫欧 @ 4.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI5441BDC-T1-E3TR

SI5441BDC-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-01 22:05:43
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